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新型光譜儀探測(cè)器介紹
發(fā)布時(shí)間：2020-08-31 08:54:31 點(diǎn)擊：7044
分光晶體LiF200分辨率31，適用于波長(zhǎng)色散領(lǐng)域。
波長(zhǎng)色散-分光晶體LiF220分辨率22，，適用于波長(zhǎng)色散領(lǐng)域。
Si(Ii)探測(cè)器分辨率140，，適用于150keV領(lǐng)域。
高純Ge探測(cè)器分辨率150，適用于1~120keV領(lǐng)域。
Si漂移探測(cè)器(SDD)分辨率140，適用于二維陣列領(lǐng)域。
溫差電冷型半導(dǎo)體探測(cè)器(SiPIN)分辨率149，適用于2~25keV領(lǐng)域。
電耦合陣列探測(cè)器(CDD)分辨率130，適用于二維陣列領(lǐng)域。
超導(dǎo)躍變徽熱量感應(yīng)器(TES)分辨率3.9，適用于實(shí)驗(yàn)新型領(lǐng)域。
超導(dǎo)隧道結(jié)探測(cè)器(STJ)分辨率12，適用于實(shí)驗(yàn)新型領(lǐng)域。
CdZnTe探測(cè)器分辨率280，適用于2~100keV領(lǐng)域。
低能Ge探測(cè)器分辨率522，適用于5~1000領(lǐng)域。
四葉花瓣型探測(cè)器分辨率1050，適用于高能粒子領(lǐng)域。
盡管波長(zhǎng)色散X射線光譜儀由于使用分光晶體而達(dá)到約12eV的分辨率，但最新的能量探測(cè)器已可達(dá)到4eV，在分辨率方面已取得優(yōu)勢(shì)。目前許多廠家已推出了成功的能量色散X射線光譜儀，波長(zhǎng)色散與能量色散在X射線光譜儀中的份額已發(fā)生明顯變化，能量色散X射線光譜儀的比重顯著增加。
事實(shí)上，如果新型能量探測(cè)器在計(jì)數(shù)率和制造工藝的穩(wěn)定性方面能取得突破，則能量色散X射線光譜儀有可能在未來(lái)逐步取代復(fù)雜的波長(zhǎng)色散X射線光諧儀系統(tǒng)，成為X射線熒光光譜分析領(lǐng)域的主流。
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